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R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC Chip SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 55NS -40TO85C y con una capacidad de almacenamiento de más de 10 GB
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R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC Chip SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 55NS -40TO85C y con una capacidad de almacenamiento de más de 10 GB

R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC Chip SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 55NS -40TO85C y con una capacidad de almacenamiento de más de 10 GB

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (IC)MemoriaMemoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
en bulto
Serie:
Se aplicará el método de ensayo.
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
55ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
RENESAS
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
1M x 16, 2M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Tiempo de acceso:
55 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Alta luz: 

R1LV1616HSA-5SI#B1

,

R1LV1616HSA-5SI#B1 Chip de circuito integrado SRAM

Pago y términos de envío
Descripción
R1LV1616HSA - Temperatura de la zona de trabajo R
Descripción de producto

SRAM - IC de memoria asíncrona de 16 Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I

Atributo del producto Valor del atributo
Renesas Electrónica
Categoría de producto: La SRAM
La norma RoHS: Detalles
Envases
Marca: Renesas Electrónica
Alturas: 1.2 mm
Duración: 18.4 mm
Tipo de producto: La SRAM
96
Subcategoría: Memoria y almacenamiento de datos
Ancho: 12 mm

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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